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2ED21824S06JXUMA1

Name: Infineon 2ED21824S06JXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-2ED21824S06JXUMA
Price: 16.03 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-2ED21824S06JXUMA

制造商编号：

2ED21824S06JXUMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

栅极驱动器 LEVEL SHIFT DRIVER

数据表:

2ED21824S06JXUMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥18.1139	¥18.11
	¥13.4018	¥134.02
	¥12.2379	¥305.95
	¥10.9158	¥1,091.58
	¥10.3395	¥2,584.88
	¥10.0909	¥5,045.45
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥10.0909	¥25,227.25
	¥9.0174	¥45,087.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
类型:	Half-Bridge
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DSO-14
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	2.5 A
电源电压-最小:	10 V
电源电压-最大:	20 V
上升时间:	15 ns
下降时间:	15 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
逻辑类型:	CMOS, LSTTL
最大关闭延迟时间:	300 ns
最大开启延迟时间:	300 ns
湿度敏感性:	Yes
工作电源电流:	550 uA
Pd-功率耗散:	1 W
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	300 ns
关闭:	Shutdown
工厂包装数量:	2500
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
零件号别名:	2ED21824S06J SP003244528
单位重量:	138.510 mg

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数据表

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Models

2ED21824S06JXUMA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

小家电解决方案

Infineon小家电解决方案提供了许多适合小家电应用的器件和解决方案。样式和效率方面的需求越来越高，设计人员正以无数变化来解决这一问题。高能效、时尚外观、擦拭清洁和密封表面仅仅是设计工程师在设计时必须考虑并融入新设计中的几个方面。Infineon为多个关键领域提供解决方案，例如感应加热以及要求电机控制解决方案具有节能、集成功率器件的家电。

2ED210x低电流650V半桥栅极驱动器

Infineon 2ED210x低电流650V半桥栅极驱动器设有集成式自举二极管，采用DSO-8或DSO-14封装。2ED210x低电流0.7A驱动器基于绝缘体上硅 (SOI) 技术。SOI技术是一种高电压、电平移位技术，具有独特、可衡量以及业内最佳的优势。其中包括集成式自举二极管 (BSD) 和业界最佳的稳健性，可防止负瞬态电压尖峰。该技术还可以降低电平转换功率损耗，从而最大限度地降低器件开关功耗。先进的工艺支持采用具有技术增强优势的单片高压和低压电路结构。

2ED218x大电流650V半桥栅极驱动器

Infineon 2ED218x大电流650V、2.5A、半桥、SOI栅极驱动器设有集成式自举二极管，采用DSO-8或DSO-14封装。2ED218x将大电流与高速相结合，可驱动MOSFET和IGBT，典型拉灌电流均为2.5A。

绝缘体上硅 (SOI) 栅极驱动器IC

英飞凌绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器IC是电平转换高压栅极驱动器IC，适用于IGBT和MOSFET。 SOI技术是一种高电压、电平移位技术，具有独特、可衡量以及业内最佳的优势。其中包括集成式自举二极管 (BSD) 和业界最佳的稳健性，可防止负瞬态电压尖峰。每个晶体管都由嵌入的二氧化硅隔离，消除了导致闭锁的寄生双极晶体管。该技术还可以降低电平转换功率损耗，从而最大限度地降低器件开关功耗。先进的工艺实现了具有技术增强优势的单片高压和低压电路结构。

EiceDRIVER™栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC设计用于MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT器件。EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供0.1A至10A的各种典型输出电流选项。这些器件具有稳健栅极驱动器保护功能，如快速短路保护（DESAT）、有源米勒钳位、击穿保护、故障、关断以及过流保护。这些特性使这些驱动器IC非常适合用于硅和宽带隙功率器件，包括CoolGaN™ 和CoolSiC™ 。因此，英飞凌提供超过500种EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC解决方案，适用于任何电源开关和任何应用。