对比类似产品
产品信息 |
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| 当前产品 | 第 一 类似产品 | |
| 图像: |
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| Mouser 零件编号: | 595-CSD18535KTTT | 595-CSD18535KTT |
| 制造商零件编号： | CSD18535KTTT | CSD18535KTT |
| 制造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 描述： | MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT | MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTTT |
| 寿命周期: | - | - |
| 数据表: | CSD18535KTTT 数据表 | CSD18535KTT 数据表 |
| RoHS: | ||
规格 |
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| 商标: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Single | Single |
| 组装国: | CN | CN |
| 扩散国家: | CN | CN |
| 原产国: | CN | CN |
| 下降时间: | 3 ns | 3 ns |
| 正向跨导 - 最小值: | 263 S | 263 S |
| Id-连续漏极电流: | 200 A | 200 A |
| 制造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 最大工作温度: | + 175 C | + 175 C |
| 最小工作温度: | - 55 C | - 55 C |
| 湿度敏感性: | Yes | Yes |
| 安装风格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道数量: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封装 / 箱体: | D2PAK-3 (TO-263-3) | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| 封装: | Reel | Reel |
| Pd-功率耗散: | 300 W | 300 W |
| 产品类型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg-栅极电荷: | 81 nC | 81 nC |
| Rds On-漏源导通电阻: | 2.3 mOhms | 2.3 mOhms |
| 上升时间: | 3 ns | 3 ns |
| RoHS - 贸泽: | E | E |
| 系列: | CSD18535KTT | CSD18535KTT |
| 标准包装数量: | 50 | 500 |
| 子类别: | Transistors | Transistors |
| 技术: | Si | Si |
| 商标名: | NexFET | NexFET |
| 晶体管极性: | N-Channel | N-Channel |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 19 ns | 19 ns |
| 典型接通延迟时间: | 9 ns | 9 ns |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | 60 V |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.9 V | 1.9 V |
订购信息 |
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| 库存： | 60 可立即发货 | 405 可立即发货 |
| 生产周期： | 6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 | 12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 |
| 购买: |
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| 单价（含13%增值税） | ||