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产品信息

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图像: Product 595-CSD13385F5 Product 595-CSD13385F5T
Mouser 零件编号: 595-CSD13385F5 595-CSD13385F5T
制造商零件编号: CSD13385F5 CSD13385F5T
制造商: Texas Instruments Texas Instruments
描述: MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5T MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5
寿命周期: - -
数据表: CSD13385F5 数据表 CSD13385F5T 数据表
RoHS:    

规格

商标: Texas Instruments Texas Instruments
通道模式: Enhancement Enhancement
配置: Single Single
组装国: PH PH
扩散国家: CN CN
原产国: PH PH
下降时间: 10 ns 10 ns
正向跨导 - 最小值: 11.3 S 11.3 S
Id-连续漏极电流: 7.1 A 7.1 A
制造商: Texas Instruments Texas Instruments
最大工作温度: + 150 C + 150 C
最小工作温度: - 55 C - 55 C
安装风格: SMD/SMT SMD/SMT
通道数量: 1 Channel 1 Channel
封装 / 箱体: PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
封装: Reel Reel
Pd-功率耗散: 1.4 W 1.4 W
产品类型: MOSFETs MOSFETs
Qg-栅极电荷: 5 nC 5 nC
Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms 19 mOhms
上升时间: 10 ns 10 ns
RoHS - 贸泽: Y Y
系列: CSD13385F5 CSD13385F5
标准包装数量: 3000 250
子类别: Transistors Transistors
技术: Si Si
商标名: NexFET NexFET
晶体管极性: N-Channel N-Channel
晶体管类型: 1 N-Channel 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 33 ns 33 ns
典型接通延迟时间: 7 ns 7 ns
Vds-漏源极击穿电压: 12 V 12 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, 8 V - 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV 500 mV

订购信息

库存: 2,534 可立即发货 555 可立即发货
生产周期: 6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
购买:
¥-.--
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封装: 了解包装选项详情
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥-.--
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封装: 了解包装选项详情
整卷卷轴(请按250的倍数订购)
单价(含13%增值税)
数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥4.633 ¥4.63
¥2.8589 ¥28.59
¥1.8532 ¥185.32
¥1.3786 ¥689.30
¥1.2317 ¥1,231.70
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥1.06672 ¥3,200.16
¥0.95937 ¥5,756.22
¥0.83507 ¥7,515.63
¥0.81925 ¥19,662.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。
数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥12.4074 ¥12.41
¥7.8196 ¥78.20
¥4.5087 ¥450.87
整卷卷轴(请按250的倍数订购)
¥4.5087 ¥1,127.18
¥3.8533 ¥1,926.65
¥3.4578 ¥3,457.80
¥3.3222 ¥8,305.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。