对比类似产品
产品信息 |
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| 当前产品 | 第 一 类似产品 | |
| 图像: |
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| Mouser 零件编号: | 726-IPD50R650CEAUMA1 | 726-IPD60R600P7SAUMA |
| 制造商零件编号： | IPD50R650CEAUMA1 | IPD60R600P7SAUMA1 |
| 制造商: | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 描述： | MOSFET CONSUMER | MOSFET CONSUMER |
| 寿命周期: | Not Recommended for New Designs | - |
| 数据表: | IPD50R650CEAUMA1 数据表 (PDF) | IPD60R600P7SAUMA1 数据表 (PDF) |
| RoHS: | ||
规格 |
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| 商标: | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 组装国: | Not Available | CN |
| 扩散国家: | Not Available | AT |
| 原产国: | CN | AT |
| 下降时间: | 13 ns | 7 ns |
| Id-连续漏极电流: | 9 A | 6 A |
| 制造商: | Infineon | Infineon |
| 最大工作温度: | + 150 C | + 150 C |
| 最小工作温度: | - 55 C | - 40 C |
| 湿度敏感性: | Yes | Yes |
| 安装风格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道数量: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封装 / 箱体: | DPAK-3 (TO-252-3) | DPAK-3 (TO-252-3) |
| 封装: | Reel | Reel |
| Pd-功率耗散: | 69 W | 30 W |
| 产品类型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg-栅极电荷: | 15 nC | 9 nC |
| Rds On-漏源导通电阻: | 1.54 Ohms | 600 mOhms |
| 上升时间: | 5 ns | 6 ns |
| RoHS - 贸泽: | Y | E |
| 系列: | CoolMOS CE | CoolMOS P7 |
| 标准包装数量: | 2500 | 2500 |
| 子类别: | Transistors | Transistors |
| 技术: | Si | Si |
| 商标名: | CoolMOS | CoolMOS |
| 晶体管极性: | N-Channel | N-Channel |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 27 ns | 37 ns |
| 典型接通延迟时间: | 6 ns | 7 ns |
| Vds-漏源极击穿电压: | 500 V | 600 V |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V | 3.5 V |
| 零件号别名: | IPD50R650CE SP001396796 | IPD60R600P7S SP001658286 |
| 配置: | - | Single |
订购信息 |
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| 库存： | 1,489 可立即发货 | 5,396 可立即发货 |
| 生产周期： | - | 26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 |
| 购买: |
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| 单价（含13%增值税） | ||