对比类似产品
产品信息 |
||
|---|---|---|
| 当前产品 | 第 一 类似产品 | |
| 图像: |
|
|
| Mouser 零件编号: | 595-CSD87501L | 595-CSD87501LT |
| 制造商零件编号： | CSD87501L | CSD87501LT |
| 制造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 描述： | MOSFET CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFE A 595-CSD87501LT | MOSFET 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET A 595- A 595-CSD87501L |
| 寿命周期: | - | - |
| 数据表: | CSD87501L 数据表 | CSD87501LT 数据表 |
| RoHS: | ||
规格 |
||
| 商标: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Dual | Dual |
| 组装国: | CN | Not Available |
| 扩散国家: | CN | Not Available |
| 原产国: | CN | CN |
| 下降时间: | 712 ns, 712 ns | 712 ns |
| 正向跨导 - 最小值: | 48 S, 48 S | - |
| Id-连续漏极电流: | 14 A | 14 A |
| 制造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 最大工作温度: | + 150 C | + 150 C |
| 最小工作温度: | - 55 C | - 55 C |
| 安装风格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道数量: | 2 Channel | 2 Channel |
| 封装 / 箱体: | BGA-10 | BGA-10 |
| 封装: | Reel | Reel |
| Pd-功率耗散: | 2.5 W | 2.5 W |
| 产品类型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg-栅极电荷: | 40 nC | 15 nC |
| Rds On-漏源导通电阻: | 4.6 mOhms | 4.6 mOhms |
| 上升时间: | 260 ns, 260 ns | 260 ns |
| RoHS - 贸泽: | Y | Y |
| 系列: | CSD87501L | CSD87501L |
| 标准包装数量: | 3000 | 250 |
| 子类别: | Transistors | Transistors |
| 技术: | Si | Si |
| 商标名: | NexFET | NexFET |
| 晶体管极性: | N-Channel | N-Channel |
| 晶体管类型: | 2 N-Channel | 2 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 709 ns, 709 ns | 709 ns |
| 典型接通延迟时间: | 164 ns, 164 ns | 164 ns |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | 30 V |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.3 V | 1.3 V |
订购信息 |
||
| 库存： | 4,736 可立即发货 | 472 可立即发货 |
| 生产周期： | 12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 | 6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 |
| 购买: |
|
|
| 单价（含13%增值税） | ||