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图像: Product 595-TPS1101DR Product 595-TPS1101D
Mouser 零件编号: 595-TPS1101DR 595-TPS1101D
制造商零件编号: TPS1101DR TPS1101D
制造商: Texas Instruments Texas Instruments
描述: MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101D MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101DR
寿命周期: - -
数据表: TPS1101DR 数据表 TPS1101D 数据表
RoHS:    

规格

商标: Texas Instruments Texas Instruments
通道模式: Enhancement Enhancement
配置: Single Single
组装国: Not Available Not Available
扩散国家: Not Available Not Available
原产国: TW, CN MX
下降时间: 5.5 ns 5.5 ns
正向跨导 - 最小值: 4.3 S 4.3 S
Id-连续漏极电流: 2.3 A 2.3 A
制造商: Texas Instruments Texas Instruments
最大工作温度: + 150 C + 150 C
最小工作温度: - 40 C - 40 C
安装风格: SMD/SMT SMD/SMT
通道数量: 1 Channel 1 Channel
封装 / 箱体: SOIC-8 SOIC-8
封装: Reel Tube
Pd-功率耗散: 791 mW 791 mW
产品类型: MOSFETs MOSFETs
Qg-栅极电荷: 11.25 nC 11.25 nC
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms 90 mOhms
上升时间: 5.5 ns 5.5 ns
RoHS - 贸泽: Y Y
系列: TPS1101 TPS1101
标准包装数量: 2500 75
子类别: Transistors Transistors
技术: Si Si
晶体管极性: P-Channel P-Channel
晶体管类型: 1 P-Channel 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns 19 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns 6.5 ns
Vds-漏源极击穿电压: 15 V 15 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 15 V, 2 V - 15 V, 2 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V 1.5 V

订购信息

库存: 无库存 175 可立即发货
生产周期: 6 周 预计工厂生产时间。 12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
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