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图像: Product 595-CSD17573Q5BT Product 595-CSD17573Q5B
Mouser 零件编号: 595-CSD17573Q5BT 595-CSD17573Q5B
制造商零件编号: CSD17573Q5BT CSD17573Q5B
制造商: Texas Instruments Texas Instruments
描述: MOSFET 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5B MOSFET 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5BT
寿命周期: - -
数据表: CSD17573Q5BT 数据表 CSD17573Q5B 数据表
RoHS:    

规格

商标: Texas Instruments Texas Instruments
通道模式: Enhancement Enhancement
配置: Single Single
组装国: PH PH
扩散国家: CN CN
原产国: PH PH
下降时间: 7 ns 7 ns
正向跨导 - 最小值: 181 S 181 S
Id-连续漏极电流: 100 A 100 A
制造商: Texas Instruments Texas Instruments
最大工作温度: + 150 C + 150 C
最小工作温度: - 55 C - 55 C
安装风格: SMD/SMT SMD/SMT
通道数量: 1 Channel 1 Channel
封装 / 箱体: VSON-CLIP-8 VSON-CLIP-8
封装: Reel Reel
Pd-功率耗散: 195 W 195 W
产品类型: MOSFETs MOSFETs
Qg-栅极电荷: 64 nC 49 nC
Rds On-漏源导通电阻: 1.19 mOhms 1 mOhms
上升时间: 20 ns 20 ns
RoHS - 贸泽: E E
系列: CSD17573Q5B CSD17573Q5B
标准包装数量: 250 2500
子类别: Transistors Transistors
技术: Si Si
商标名: NexFET NexFET
晶体管极性: N-Channel N-Channel
晶体管类型: 1 N-Channel 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns 40 ns
典型接通延迟时间: 6 ns 6 ns
Vds-漏源极击穿电压: 30 V 30 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V - 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V 1.1 V

订购信息

库存: 1,269 可立即发货 2,565 可立即发货
在途量:
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生产周期:
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大于所示数量的预计工厂生产时间。
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购买:
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整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
单价(含13%增值税)
数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥23.4927 ¥23.49
¥15.2211 ¥152.21
¥8.0682 ¥806.82
整卷卷轴(请按250的倍数订购)
¥8.0682 ¥2,017.05
¥8.0456 ¥4,022.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。
数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥18.1139 ¥18.11
¥11.6616 ¥116.62
¥7.8761 ¥787.61
¥6.2828 ¥3,141.40
¥5.9099 ¥5,909.90
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥5.6274 ¥14,068.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。