对比类似产品
产品信息 |
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| 当前产品 | 第 一 类似产品 | |
| 图像: |
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| Mouser 零件编号: | 595-CSD87503Q3E | 595-CSD87503Q3ET |
| 制造商零件编号： | CSD87503Q3E | CSD87503Q3ET |
| 制造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 描述： | MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET | MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E |
| 寿命周期: | - | - |
| 数据表: | CSD87503Q3E 数据表 | CSD87503Q3ET 数据表 |
| RoHS: | ||
规格 |
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| 商标: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Dual | Dual |
| 组装国: | CN | Not Available |
| 扩散国家: | CN | Not Available |
| 原产国: | CN | CN |
| 下降时间: | 8 ns | 8 ns, 8 ns |
| 正向跨导 - 最小值: | 24 S | 24 S, 24 S |
| Id-连续漏极电流: | 10 A | 10 A |
| 制造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 最大工作温度: | + 150 C | + 150 C |
| 最小工作温度: | - 55 C | - 55 C |
| 安装风格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道数量: | 2 Channel | 2 Channel |
| 封装 / 箱体: | VSON-8 | VSON-8 |
| 封装: | Reel | Reel |
| Pd-功率耗散: | 15.6 W | 15.6 W |
| 产品类型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg-栅极电荷: | 42.8 nC | 42.8 nC |
| Rds On-漏源导通电阻: | 17.3 mOhms | 17.3 mOhms |
| 上升时间: | 40 ns | 40 ns, 40 ns |
| RoHS - 贸泽: | Y | Y |
| 系列: | CSD87503Q3E | CSD87503Q3E |
| 标准包装数量: | 2500 | 250 |
| 子类别: | Transistors | Transistors |
| 技术: | Si | Si |
| 商标名: | NexFET | NexFET |
| 晶体管极性: | N-Channel | N-Channel |
| 晶体管类型: | 2 N-Channel | 2 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 25 ns | 25 ns, 25 ns |
| 典型接通延迟时间: | 10 ns | 10 ns, 10 ns |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | 30 V |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.3 V | 1.3 V |
订购信息 |
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| 库存： | 1,710 可立即发货 | 1,011 可立即发货 |
| 生产周期： | 12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 | 6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 |
| 购买: |
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| 单价（含13%增值税） | ||