对比类似产品
产品信息 |
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| 当前产品 | 第 一 类似产品 | |
| 图像: |
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| Mouser 零件编号: | 511-STB22NM60N | 511-STB24N60M2 |
| 制造商零件编号： | STB22NM60N | STB24N60M2 |
| 制造商: | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 描述： | MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh | MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2 |
| 寿命周期: | Verify Status with Factory | - |
| 数据表: | STB22NM60N 数据表 (PDF) | STB24N60M2 数据表 (PDF) |
| RoHS: | ||
规格 |
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| 商标: | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Single | Single |
| 组装国: | Not Available | Not Available |
| 扩散国家: | Not Available | Not Available |
| 原产国: | CN | CN |
| Id-连续漏极电流: | 10 A | 18 A |
| 制造商: | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 最大工作温度: | + 150 C | + 150 C |
| 最小工作温度: | - 55 C | - 55 C |
| 安装风格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道数量: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封装 / 箱体: | D2PAK-3 (TO-263-3) | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| 封装: | Reel | Reel |
| Pd-功率耗散: | 125 W | 150 W |
| 产品类型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg-栅极电荷: | 44 nC | 29 nC |
| Rds On-漏源导通电阻: | 220 mOhms | 190 mOhms |
| RoHS - 贸泽: | E | E |
| 系列: | STB22NM60N | STB24N60M2 |
| 标准包装数量: | 1000 | 1000 |
| 子类别: | Transistors | Transistors |
| 技术: | Si | Si |
| 商标名: | MDmesh | MDmesh |
| 晶体管极性: | N-Channel | N-Channel |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 600 V | 600 V |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, 30 V | - 25 V, 25 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V | 4 V |
| 下降时间: | - | 61 ns |
| 上升时间: | - | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间: | - | 15 ns |
| 典型接通延迟时间: | - | 14 ns |
订购信息 |
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| 库存： | 1,019 可立即发货 | 2,428 可立即发货 |
| 生产周期： | 52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 | 16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 |
| 购买: |
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| 单价（含13%增值税） | ||