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图像: Product 747-IXFK26N90 Product 747-IXFH24N90P
Mouser 零件编号: 747-IXFK26N90 747-IXFH24N90P
制造商零件编号: IXFK26N90 IXFH24N90P
制造商: IXYS IXYS
描述: MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
寿命周期: Not Recommended for New Designs -
数据表: IXFK26N90 数据表 IXFH24N90P 数据表
RoHS:    

规格

商标: IXYS IXYS
通道模式: Enhancement Enhancement
配置: Single Single
组装国: Not Available Not Available
扩散国家: Not Available Not Available
原产国: PH KR
下降时间: 24 ns 38 ns
Id-连续漏极电流: 26 A 24 A
制造商: IXYS IXYS
最大工作温度: + 150 C + 150 C
最小工作温度: - 55 C - 55 C
安装风格: Through Hole Through Hole
通道数量: 1 Channel 1 Channel
封装 / 箱体: TO-264-3 TO-247-3
封装: Tube Tube
Pd-功率耗散: 560 W 660 W
产品类型: MOSFETs MOSFETs
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms 420 mOhms
上升时间: 35 ns 40 ns
RoHS - 贸泽: Y Y
系列: HiPerFET IXFH24N90
标准包装数量: 300 30
子类别: Transistors Transistors
技术: Si Si
商标名: HyperFET HiPerFET
晶体管极性: N-Channel N-Channel
晶体管类型: 1 N-Channel 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 130 ns 68 ns
典型接通延迟时间: 60 ns 46 ns
Vds-漏源极击穿电压: 900 V 900 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V - 30 V, 30 V
正向跨导 - 最小值: - 16 S
Qg-栅极电荷: - 130 nC
Vgs th-栅源极阈值电压: - 6.5 V

订购信息

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生产周期: 请求交付报价 27 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
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