对比类似产品
产品信息 |
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| 当前产品 | 第 一 类似产品 | ||||||||||||||||||||||
| 图像: |
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| Mouser 零件编号: | 726-IMBG65R072M1HXTM | 726-IMBG65R075M2HXTM | |||||||||||||||||||||
| 制造商零件编号： | IMBG65R072M1HXTMA1 | IMBG65R075M2HXTMA1 | |||||||||||||||||||||
| 制造商: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | |||||||||||||||||||||
| 描述： | 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | |||||||||||||||||||||
| 寿命周期: | Not Recommended for New Designs | New Product | |||||||||||||||||||||
| 数据表: | IMBG65R072M1HXTMA1 数据表 (PDF) | IMBG65R075M2HXTMA1 数据表 (PDF) | |||||||||||||||||||||
| RoHS: | |||||||||||||||||||||||
规格 |
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| 商标: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | |||||||||||||||||||||
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement | |||||||||||||||||||||
| 组装国: | Not Available | MY | |||||||||||||||||||||
| 扩散国家: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||
| 原产国: | MY | AT | |||||||||||||||||||||
| Id-连续漏极电流: | 33 A | 28 A | |||||||||||||||||||||
| 制造商: | Infineon | Infineon | |||||||||||||||||||||
| 最大工作温度: | + 175 C | + 175 C | |||||||||||||||||||||
| 最小工作温度: | - 55 C | - | |||||||||||||||||||||
| 安装风格: | SMD/SMT | SMD/SMT | |||||||||||||||||||||
| 通道数量: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||||||||||||||
| 封装: | Reel | Reel | |||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散: | 140 W | 124 W | |||||||||||||||||||||
| 产品: | MOSFETs | SiC MOSFET | |||||||||||||||||||||
| 产品类型: | SiC MOSFETS | SiC MOSFETS | |||||||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷: | 22 nC | 14.9 nC | |||||||||||||||||||||
| Rds On-漏源导通电阻: | 94 mOhms | 95 mOhms | |||||||||||||||||||||
| RoHS - 贸泽: | Y | Y | |||||||||||||||||||||
| 系列: | CoolSiC 650V | - | |||||||||||||||||||||
| 标准包装数量: | 1000 | 1000 | |||||||||||||||||||||
| 子类别: | Transistors | Transistors | |||||||||||||||||||||
| 技术: | SiC | SiC | |||||||||||||||||||||
| 商标名: | CoolSiC | CoolSiC | |||||||||||||||||||||
| 晶体管极性: | N-Channel | N-Channel | |||||||||||||||||||||
| Vds-漏源极击穿电压: | 650 V | 650 V | |||||||||||||||||||||
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 5 V, + 23 V | - 7 V, + 23 V | |||||||||||||||||||||
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 5.7 V | 5.6 V | |||||||||||||||||||||
| 零件号别名: | IMBG65R072M1H SP005539178 | - | |||||||||||||||||||||
| 配置: | - | Single | |||||||||||||||||||||
| 下降时间: | - | 5.5 ns | |||||||||||||||||||||
| 封装 / 箱体: | - | TO-263-7 | |||||||||||||||||||||
| 上升时间: | - | 5.3 ns | |||||||||||||||||||||
| 晶体管类型: | - | 1 N-Channel | |||||||||||||||||||||
| 类型: | - | MOSFET | |||||||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间: | - | 12.8 ns | |||||||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间: | - | 5.7 ns | |||||||||||||||||||||
订购信息 |
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| 库存： | 861 可立即发货 | 813 可立即发货 | |||||||||||||||||||||
| 生产周期： | 52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 | 52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 | |||||||||||||||||||||
| 购买: |
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| 单价（含13%增值税） |
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