对比类似产品
产品信息 |
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| 当前产品 | 第 一 类似产品 | |
| 图像: |
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| Mouser 零件编号: | 726-IMBG65R039M1HXTM | 726-IMBG65R040M2HXTM |
| 制造商零件编号： | IMBG65R039M1HXTMA1 | IMBG65R040M2HXTMA1 |
| 制造商: | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 描述： | 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
| 寿命周期: | Not Recommended for New Designs | - |
| 数据表: | IMBG65R039M1HXTMA1 数据表 (PDF) | IMBG65R040M2HXTMA1 数据表 (PDF) |
| RoHS: | ||
规格 |
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| 商标: | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 组装国: | Not Available | Not Available |
| 扩散国家: | Not Available | Not Available |
| 原产国: | MY | MY |
| Id-连续漏极电流: | 54 A | 49 A |
| 制造商: | Infineon | Infineon |
| 最大工作温度: | + 175 C | + 175 C |
| 最小工作温度: | - 55 C | - 55 C |
| 安装风格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道数量: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封装: | Reel | Reel |
| Pd-功率耗散: | 211 W | 197 W |
| 产品: | MOSFETs | - |
| 产品类型: | SiC MOSFETS | SiC MOSFETS |
| Qg-栅极电荷: | 41 nC | 28 nC |
| Rds On-漏源导通电阻: | 51 mOhms | 49 mOhms |
| RoHS - 贸泽: | Y | Y |
| 系列: | CoolSiC 650V | - |
| 标准包装数量: | 1000 | 1000 |
| 子类别: | Transistors | Transistors |
| 技术: | SiC | SiC |
| 商标名: | CoolSiC | - |
| 晶体管极性: | N-Channel | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 650 V | 650 V |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 5 V, + 23 V | - 7 V, + 23 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 5.7 V | 5.6 V |
| 零件号别名: | IMBG65R039M1H SP005539169 | IMBG65R040M2HXTMA1 SP005917207 |
| 下降时间: | - | 4.6 ns |
| 封装 / 箱体: | - | TO-263-7 |
| 上升时间: | - | 8.3 ns |
| 典型关闭延迟时间: | - | 14.4 ns |
| 典型接通延迟时间: | - | 8.4 ns |
订购信息 |
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| 库存： | 682 可立即发货 | 1,450 可立即发货 |
| 生产周期： | 52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 | 52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 |
| 购买: |
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| 单价（含13%增值税） | ||