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图像: Product 726-IMBG65R030M1HXTM Product 726-IMBG65R020M2HXTM
Mouser 零件编号: 726-IMBG65R030M1HXTM 726-IMBG65R020M2HXTM
制造商零件编号: IMBG65R030M1HXTMA1 IMBG65R020M2HXTMA1
制造商: Infineon Technologies Infineon Technologies
描述: 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
寿命周期: Not Recommended for New Designs -
数据表: IMBG65R030M1HXTMA1 数据表 (PDF) IMBG65R020M2HXTMA1 数据表 (PDF)
RoHS:    

规格

商标: Infineon Technologies Infineon Technologies
通道模式: Enhancement Enhancement
组装国: Not Available Not Available
扩散国家: Not Available Not Available
原产国: MY AT
Id-连续漏极电流: 63 A 91 A
制造商: Infineon Infineon
最大工作温度: + 175 C + 175 C
最小工作温度: - 55 C - 55 C
安装风格: SMD/SMT SMD/SMT
通道数量: 1 Channel 1 Channel
封装: Reel Reel
Pd-功率耗散: 234 W 326 W
产品: MOSFETs -
产品类型: SiC MOSFETS SiC MOSFETS
Qg-栅极电荷: 49 nC 57 nC
Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms 24 mOhms
RoHS - 贸泽: Y Y
系列: CoolSiC 650V -
标准包装数量: 1000 1000
子类别: Transistors Transistors
技术: SiC SiC
商标名: CoolSiC -
晶体管极性: N-Channel N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V 650 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 23 V - 7 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.7 V 5.6 V
零件号别名: IMBG65R030M1H SP005539165 IMBG65R020M2HXTMA1 SP005917206
配置: - Single
下降时间: - 5.6 ns
封装 / 箱体: - TO-263-7
上升时间: - 12 ns
典型关闭延迟时间: - 19 ns
典型接通延迟时间: - 10.3 ns

订购信息

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生产周期: 52 周 预计工厂生产时间。 52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
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剪切带/MouseReel™
¥113.8136 ¥113.81
¥83.8686 ¥838.69
¥66.8395 ¥6,683.95
¥66.7491 ¥33,374.55
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¥62.3647 ¥62,364.70
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。