对比类似产品
产品信息 |
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| 当前产品 | 第 一 类似产品 | |
| 图像: |
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| Mouser 零件编号: | 595-CSD17308Q3T | 595-CSD17308Q3 |
| 制造商零件编号： | CSD17308Q3T | CSD17308Q3 |
| 制造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 描述： | MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17308Q3 | MOSFET 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1730 A 595-CSD17308Q3T |
| 寿命周期: | - | - |
| 数据表: | CSD17308Q3T 数据表 | CSD17308Q3 数据表 |
| RoHS: | ||
规格 |
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| 商标: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Single | Single |
| 组装国: | PH | PH |
| 扩散国家: | TW, CN | TW, CN |
| 原产国: | PH | PH |
| 下降时间: | 2.3 ns | 2.3 ns |
| 正向跨导 - 最小值: | 37 S | - |
| Id-连续漏极电流: | 60 A | 50 A |
| 制造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 最大工作温度: | + 150 C | + 150 C |
| 最小工作温度: | - 55 C | - 55 C |
| 安装风格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道数量: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封装 / 箱体: | VSON-CLIP-8 | VSON-CLIP-8 |
| 封装: | Reel | Reel |
| Pd-功率耗散: | 28 W | 28 W |
| 产品类型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg-栅极电荷: | 3.9 nC | 3.9 nC |
| Rds On-漏源导通电阻: | 11.8 mOhms | 10.3 mOhms |
| 上升时间: | 5.7 ns | 5.7 ns |
| RoHS - 贸泽: | E | E |
| 系列: | CSD17308Q3 | CSD17308Q3 |
| 标准包装数量: | 250 | 2500 |
| 子类别: | Transistors | Transistors |
| 技术: | Si | Si |
| 商标名: | NexFET | NexFET |
| 晶体管极性: | N-Channel | N-Channel |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | 1 N-Channel Power MOSFET |
| 典型关闭延迟时间: | 9.9 ns | 9.9 ns |
| 典型接通延迟时间: | 4.5 ns | 4.5 ns |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | 30 V |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V | - 8 V, 8 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.3 V | 900 mV |
| 开发套件: | - | BQ500211AEVM-210 |
订购信息 |
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| 库存： | 705 可立即发货 | 327 可立即发货 |
| 在途量: |
0
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7500
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| 生产周期： | 12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。 |
12
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
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| 购买: |
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| 单价（含13%增值税） | ||