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图像: Product 241-BSS123_R2_00001 Product 241-BSS123_R1_00001
Mouser 零件编号: 241-BSS123_R2_00001 241-BSS123_R1_00001
制造商零件编号: BSS123_R2_00001 BSS123_R1_00001
制造商: Panjit Panjit
描述: MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
寿命周期: - -
数据表: BSS123_R2_00001 数据表 (PDF) BSS123_R1_00001 数据表 (PDF)
RoHS:    

规格

商标: Panjit Panjit
通道模式: Enhancement Enhancement
配置: Single Single
组装国: Not Available Not Available
扩散国家: Not Available Not Available
原产国: TW, CN TW, CN
下降时间: 20 ns 20 ns
Id-连续漏极电流: 170 mA 170 mA
制造商: Panjit Panjit
最大工作温度: + 150 C + 150 C
最小工作温度: - 55 C - 55 C
安装风格: SMD/SMT SMD/SMT
通道数量: 1 Channel 1 Channel
封装 / 箱体: SOT-23-3 SOT-23-3
封装: Reel Reel
Pd-功率耗散: 500 mW 500 mW
产品类型: MOSFETs MOSFETs
Qg-栅极电荷: 1.8 nC 1.8 nC
Rds On-漏源导通电阻: 10 Ohms 10 Ohms
上升时间: 19 ns 19 ns
RoHS - 贸泽: Y Y
标准包装数量: 12000 3000
子类别: Transistors Transistors
技术: Si Si
晶体管极性: N-Channel N-Channel
晶体管类型: 1 N-Channel 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 8.2 ns 8.2 ns
典型接通延迟时间: 3.4 ns 3.4 ns
Vds-漏源极击穿电压: 100 V 100 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V - 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V 2.5 V
系列: - NFET-100TMN

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