AAR013V120H3

Name: APC-E AAR013V120H3
Brand: APC-E
SKU: 896-AAR013V120H3
Price: 198.59 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

896-AAR013V120H3

制造商编号：

AAR013V120H3

制造商：

APC-E

说明：

碳化硅MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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数量	单价	总价
	¥224.4067	¥224.41
	¥187.6026	¥1,876.03
	¥164.0308	¥19,683.70
5,010	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	APC-E
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	145 A
Rds On-漏源导通电阻:	13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	18 V
最大工作温度:	+ 175 C
商标:	APC-E
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
湿度敏感性:	Yes
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors

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已选择的属性: 0

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数据表

AAR013V120H3 数据表 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.