ALD212908SAL

Name: Advanced Linear Devices ALD212908SAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD212908SAL
Price: 58.64 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

585-ALD212908SAL

制造商编号：

ALD212908SAL

制造商：

Advanced Linear Devices

说明：

MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

数据表:

ALD212908SAL 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 18

库存：: 18 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。

数量大于18的订购须受最低订购要求的限制。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥66.2632	¥66.26
	¥53.0761	¥530.76
	¥42.9061	¥4,290.61
	¥38.1262	¥19,063.10
	¥33.7757	¥33,775.70

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Advanced Linear Devices
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	10 V
Id-连续漏极电流:	79 mA
Rds On-漏源导通电阻:	14 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 12 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	780 mV
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 70 C
Pd-功率耗散:	500 mW
通道模式:	Enhancement
商标名:	EPAD
封装:	Tube
商标:	Advanced Linear Devices
配置:	Dual
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	US
产品类型:	MOSFETs
系列:	ALD212908S
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	74 mg