AS4C2M32S-6BINTR

Alliance Memory
913-AS4C2M32S-6BINTR
AS4C2M32S-6BINTR

制造商：

说明：
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 2M X 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel

数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
20 周 预计工厂生产时间。
最少： 2000   倍数： 2000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥44.9175 ¥89,835.00

备用包装

制造商零件编号:
AS4C2M32S-6BIN
包装:
Tray
供货情况:
库存量
单价:
¥72.207
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
Alliance Memory
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
32 bit
166 MHz
TFBGA-90
2 M x 32
5.4 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C2M32S
Reel
商标: Alliance Memory
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 2000
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 95 mA
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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