AS4C4M16D1A-5TCNTR

Alliance Memory
913-4C4M16D1A-5TCNTR
AS4C4M16D1A-5TCNTR

制造商：

说明：
动态随机存取存储器 DDR1, 64Mb, 4M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp(A), T&R

数据表:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
20 周 预计工厂生产时间。
最少： 1000   倍数： 1000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥20.9276 ¥20,927.60
¥20.4304 ¥40,860.80

备用包装

制造商零件编号:
AS4C4M16D1A-5TCN
包装:
Tray
供货情况:
库存量
单价:
¥32.6683
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
Alliance Memory
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM - DDR
64 Mbit
16 bit
200 MHz
TSOP-II-66
4 M x 16
700 ps
2.3 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
AS4C4M16D1A
Reel
商标: Alliance Memory
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 1000
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 60 mA
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已选择的属性: 0

数据表

USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

DDR1 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.

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