AS4C64M4SA-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C64M4SA7TCN
AS4C64M4SA-7TCN

制造商：

说明：
动态随机存取存储器 256Mb, 3.3V, 143Mhz 64M x 4 S动态随机存取存储器

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 99

库存：
99 可立即发货
生产周期：
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥35.5724 ¥35.57
¥33.1655 ¥331.66
¥32.1711 ¥804.28
¥31.4366 ¥1,571.83
¥30.6004 ¥3,304.84
¥29.3687 ¥6,343.64
¥28.8715 ¥15,590.61
¥28.1257 ¥30,375.76

产品属性 属性值 选择属性
Alliance Memory
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
4 bit
143 MHz
TSOP-II-54
64 M x 4
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C64M4SA
Tray
商标: Alliance Memory
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 108
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 55 mA
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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