ADPA1116ACGZN-R7

Analog Devices
584-ADPA1116ACGZN-R7
ADPA1116ACGZN-R7

制造商：

说明：
射频放大器 GaN Wideband Power Amplifier ICs

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Analog Devices ADPA1116ACGZN-R7详情
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
Analog Devices Inc.
产品种类: 射频放大器
交货限制:
 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
300 MHz to 6 GHz
28 V
32.5 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
LFCSP-32
GaN
- 40 C
+ 85 C
ADPA1116
Reel
商标: Analog Devices
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
开发套件: EVAL-ADPA1116
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 28.7 W
产品类型: RF Amplifier
工厂包装数量: 500
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

ADPA1116 GaN功率放大器

Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm饱和输出功率（POUT），功率附加效率（PAE）为40%，输入功率（PIN）为16.0dBm时，功率增益为23.5dB（典型值），5GHz至0.5GHz。射频输入和输出内部匹配和交流耦合。VDD1和V DD2 引脚施加28V的漏极偏置电压，这些引脚集成了偏置电感器。漏极电流通过VGG1 引脚的负电压设置。ADPA1116采用氮化镓（GaN）工艺制造，采用32引线芯片级封装。adi ADPA1116放大器的额定工作电压范围为-40°C至+85°C。

RF, Microwave & Millimeter Wave ADI SLP


出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。