CDMSJ22013.8-650 SL

Central Semiconductor
610-CDMSJ220138650SL
CDMSJ22013.8-650 SL

制造商：

说明：
MOSFET 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Central Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
650 V
13.8 A
280 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
35.7 W
Enhancement
Tube
商标: Central Semiconductor
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 66 ns
正向跨导 - 最小值: 13 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 69 ns
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: N-Channel Super Junction Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 171 ns
典型接通延迟时间: 43 ns
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low RDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

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