EPC2012C
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请参阅产品规格
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65-EPC2012C
EPC2012C
制造商：
说明：
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
寿命周期:
Mouser 的新产品
数据表:
供货情况
-
库存：
-
0
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生产周期：
-
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
定价 (含13% 增值税)
| 数量 | 单价 |
总价
|
|---|---|---|
| ¥30.6908 | ¥30.69 | |
| ¥20.1818 | ¥201.82 | |
| ¥14.1476 | ¥1,414.76 | |
| ¥12.4074 | ¥6,203.70 | |
| ¥11.9102 | ¥11,910.20 | |
| 整卷卷轴（请按2500的倍数订购） | ||
| ¥10.0909 | ¥25,227.25 | |
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290040
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99