EPC2106

EPC
65-EPC2106
EPC2106

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35

寿命周期:
Mouser 的新产品
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 2,490

库存：
2,490 可立即发货
生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.0011 ¥22.00
¥14.1476 ¥141.48
¥9.7632 ¥976.32
¥7.8535 ¥3,926.75
¥7.6727 ¥7,672.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥6.5427 ¥16,356.75
¥6.4071 ¥32,035.50

产品属性 属性值 选择属性
EPC
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-9
N-Channel
2 Channel
100 V
1.7 A
70 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
730 pC, 730 pC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
商标: EPC
配置: Dual
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: Power Transistor
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 2 N-Channel
单位重量: 3 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。