EPC2203

EPC
65-EPC2203
EPC2203

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9

寿命周期:
Mouser 的新产品
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 334

库存：
334 可立即发货
生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥12.1588 ¥12.16
¥7.6953 ¥76.95
¥5.1076 ¥510.76
¥4.0115 ¥2,005.75
¥3.6612 ¥3,661.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥3.2544 ¥8,136.00
¥2.9041 ¥14,520.50
¥2.8363 ¥28,363.00

产品属性 属性值 选择属性
EPC
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-4
N-Channel
1 Channel
80 V
1.7 A
80 mOhms
- 4 V, 5.75 V
2.5 V
670 pC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
商标: EPC
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: Power Transistor
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 1.400 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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