GS8161E18DGD-250

Name: GSI Technology GS8161E18DGD-250
Brand: GSI Technology
SKU: 464-GS8161E18DGD-250
Price: 185.12 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

464-GS8161E18DGD-250

制造商编号：

GS8161E18DGD-250

制造商：

GSI Technology

说明：

静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M

数据表:

GS8161E18DGD-250 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解GSI Technology GS8161E18DGD-250详情

供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 请求交付报价

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥209.1856	¥209.19
	¥193.8063	¥1,938.06
	¥187.6817	¥4,692.04
	¥183.0487	¥6,589.75
	¥164.189	¥17,732.41
	¥159.1492	¥40,105.60
	¥152.2788	¥76,748.52
1,008	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	GSI Technology
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	18 Mbit
组织:	1 M x 18
访问时间:	5.5 ns
最大时钟频率:	250 MHz
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	2.3 V
电源电流—最大值:	210 mA, 230 mA
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 70 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	BGA-165
封装:	Tray
商标:	GSI Technology
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	Not Available
存储类型:	SDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	GS8161E18DGD
工厂包装数量:	36
子类别:	Memory & Data Storage
商标名:	SyncBurst
类型:	DCD Pipeline/Flow Through

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

GS8161E18DGD-250 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.b

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.