GS8640Z18GT-250IV

Name: GSI Technology GS8640Z18GT-250IV
Brand: GSI Technology
SKU: 464-GS8640Z18GT250IV
Price: 1696.34 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

464-GS8640Z18GT250IV

制造商编号：

GS8640Z18GT-250IV

制造商：

GSI Technology

说明：

静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 18 72M

数据表:

GS8640Z18GT-250IV 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	GSI Technology
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	72 Mbit
组织:	4 M x 18
访问时间:	6.5 ns
最大时钟频率:	250 MHz
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	2.7 V
电源电压-最小:	1.7 V
电源电流—最大值:	250 mA, 335 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TQFP-100
封装:	Tray
商标:	GSI Technology
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	Not Available
存储类型:	SDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	GS8640Z18GT
工厂包装数量:	18
子类别:	Memory & Data Storage
商标名:	NBT SRAM
类型:	NBT Pipeline/Flow Through

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NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.