GS8662D36BD-250I

Name: GSI Technology GS8662D36BD-250I
Brand: GSI Technology
SKU: 464-GS8662D36BD-250I
Price: 849.34 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

464-GS8662D36BD-250I

制造商编号：

GS8662D36BD-250I

制造商：

GSI Technology

说明：

静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M

数据表:

GS8662D36BD-250I 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解GSI Technology GS8662D36BD-250I详情

供货情况

库存：: 0

您可以延期订购此产品。

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 6 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥959.7542	¥959.75
	¥884.9821	¥8,849.82
	¥855.7829	¥25,673.49
	¥834.1095	¥50,046.57
	¥806.8991	¥84,724.41
255	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	GSI Technology
产品种类:	静态随机存取存储器
存储容量:	72 Mbit
组织:	2 M x 36
最大时钟频率:	250 MHz
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	1.9 V
电源电压-最小:	1.7 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	BGA-165
封装:	Tray
商标:	GSI Technology
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TW, CN
存储类型:	DDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	GS8662D36BD
工厂包装数量:	15
子类别:	Memory & Data Storage
商标名:	SigmaQuad-II
类型:	SigmaQuad-II

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

GS8662D36BD-250I 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.b

SigmaQuad-II SRAMs

GSI Technology SigmaQuad-II SRAMs feature built-in compliance with the SigmaQuad-II SRAM pinout standard for Separate I/O synchronous SRAMs. The SigmaQuad-II are 301,989,888-bit (288Mb) SRAMs. The GS82582D18/36GE SigmaQuad SRAMs are just one element in a family of low power, low voltage HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to implement economical high performance networking systems.

Quad SRAMs

GSI Technology Quad SRAMs combine capacity and performance with the ability to transfer four beats of data (two beats per data bus) in a single clock cycle. SigmaQuad SRAMs are synchronous memories with separate read and write data buses with unequaled transaction rates by competitors.