GS882Z18CGD-200IV

GSI Technology
464-GS882Z18CGD200IV
GS882Z18CGD-200IV

制造商:

说明:
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 18 9M

ECAD模型:
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库存量: 24

库存:
24 可立即发货
生产周期:
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥310.2641 ¥310.26
¥287.1895 ¥2,871.90
¥278.0139 ¥6,950.35
¥243.4359 ¥12,171.80

产品属性 属性值 选择属性
GSI Technology
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
9 Mbit
512 k x 18
6.5 ns
200 MHz
Parallel
2.7 V
1.7 V
125 mA, 160 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
BGA-165
Tray
商标: GSI Technology
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
存储类型: SDR
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: GS882Z18CGD
工厂包装数量: 66
子类别: Memory & Data Storage
商标名: NBT SRAM
类型: NBT
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.b

NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.