IS42S16400N-6BLI

ISSI
870-IS42S16400N-6BLI
IS42S16400N-6BLI

制造商:

说明:
动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

寿命周期:
新产品:
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库存量: 668

库存:
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生产周期:
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1   最多: 188
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥37.4708 ¥37.47
¥34.9057 ¥349.06
¥33.9113 ¥847.78
¥33.0864 ¥1,654.32
¥32.3406 ¥3,234.06

产品属性 属性值 选择属性
ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
16 bit
166 MHz
BGA-54
4 M x 16
5.4 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
商标: ISSI
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 348
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 80 mA
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.