IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR

ISSI
870-WVC2M16E7010BLIT
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR

制造商：

说明：
静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

数据表:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
12 周 预计工厂生产时间。
最少： 2500   倍数： 2500
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥42.2733 ¥105,683.25

备用包装

制造商零件编号:
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
包装:
供货情况:
库存量
单价:
¥57.3249
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
ISSI
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
Reel
商标: ISSI
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: IS66WVC2M16EALL
工厂包装数量: 2500
子类别: Memory & Data Storage
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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