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IX4351NE

Name: IXYS IX4351NE
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-IX4351NE
Price: 21.15 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IX4351NE

制造商编号：

IX4351NE

制造商：

IXYS Integrated Circuits

说明：

栅极驱动器 9A GATE DRIVERS LOW SIDE SIC

数据表:

IX4351NE 数据表 (PDF)

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥23.8995	¥23.90
	¥18.193	¥181.93
	¥16.4641	¥823.21
	¥15.6279	¥1,562.79
	¥14.803	¥3,700.75
	¥12.9837	¥6,491.85
	¥12.9046	¥12,904.60
	¥12.7351	¥31,837.75
	¥12.656	¥63,280.00

备用包装

制造商零件编号:

IX4351NETR

包装:

Reel, Cut Tape

供货情况:

库存量

单价:

¥24.8148

最小:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
类型:	Low-Side
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-16
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	9 A
电源电压-最小:	- 10 V
电源电压-最大:	25 V
上升时间:	10 ns
下降时间:	10 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Tube
商标:	IXYS Integrated Circuits
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TW, CN
产品类型:	Gate Drivers
工厂包装数量:	50
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	SiC

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已选择的属性: 0

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数据表

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
ECCN:: EAR99

IX4351NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器

IXYS Integrated Circuits IX4351NE低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器具有独立的9A源端和接收端输出，可实现定制的导通和关断时序，同时最大限度地降低开关损耗。IX4351NE设有内部负电荷稳压器，可提供可选的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度并实现更快关断。

低侧栅极驱动器IC

IXYS Integrated Circuits提供各种低侧MOSFET和IGBT（绝缘栅双极晶体管）栅极驱动器IC。这些驱动器的额定输出电流为1.5A至30A，额定电压高达40V，采用DIP、SOIC、DFN、TO-220和TO-263封装。汽车级AEC-Q100栅极驱动器提供4A、5A、9A和14A输出。IXYS Integrated Circuits低侧栅极驱动器是超快速、大电流MOSFET和IGBT栅极驱动器，优化用于在电机驱动和功率转换应用中实现高效率。

热泵

Littelfuse供应各种用于热泵的元件，包括保险丝、TVS二极管、栅极驱动器等。热泵市场正在迅速增长，这得益于政府为减少温室气体排放和提高能源成本而采取的举措。得益于逆变器驱动电机提高系统效率，热泵可用于各种气候条件。了解Littelfuse技术如何使热泵更安全、更可靠、更节能。由于逆变器驱动的电机提高了系统效率，热泵可用于各种气候条件。这些元件适合用于各种应用，如能源管理、安全系统、暖通空调系统、烟雾探测器和物联网控制设备。Littelfuse采用保护、控制和感测技术，以提高楼宇的可靠性、安全性和能效。

太阳能逆变器和电池能量存储系统

Littelfuse 太阳能逆变器和电池储能系统 (BESS) 可用于交流和直流耦合太阳能系统。交流耦合太阳能系统具有两个逆变器，灵活性更高，安装更容易。直流耦合太阳能系统具有一个逆变器，效率更高，因为BESS和PV之间的电缆更短，可降低损耗。Littelfuse 太阳能逆变器和BESS元件包括TVS二极管、MOSFET、IGBT驱动器、保险丝、继电器等。

辅助电源

Littelfuse提供大量设计用于辅助电源的产品，包括碳化硅 (SiC) MOSFET、栅极驱动器和TVS二极管。LSIC1MO170T0750 SiC MOSFET是一款1700V器件，优化用于高频、高效率应用，具有11nC低栅极电荷、11.5pF低输出电容以及29Ω低栅极电阻（用于高频开关）。IX4351NE栅极驱动器设有内部负电荷稳压器，可提供可选的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度并实现更快关断。TVS二极管包含SMF和1.5SMC系列，设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷电和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压损害。