IXFH12N90

IXYS
747-IXFH12N90
IXFH12N90

制造商：

说明：
MOSFET 900V 12A

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
最少： 60   倍数： 30
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥108.9094 ¥6,534.56
¥94.1516 ¥11,298.19
25,020 报价

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
900 V
12 A
1.1 Ohms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
HyperFET
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
下降时间: 18 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 12 ns
系列: HiPerFET
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 51 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

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