IXFH12N90P

Name: IXYS IXFH12N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH12N90P
Price: 78.98 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXFH12N90P

制造商编号：

IXFH12N90P

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

数据表:

IXFH12N90P 数据表

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	¥53.1891	¥531.89
	¥48.8047	¥5,856.56

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	900 V
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	6.5 V
Qg-栅极电荷:	56 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	380 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	68 ns
正向跨导 - 最小值:	8.2 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	34 ns
系列:	HiPerFET
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	32 ns
单位重量:	6 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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