IXFH160N15T2

Name: IXYS IXFH160N15T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH160N15T2
Price: 71.88 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXFH160N15T2

制造商编号：

IXFH160N15T2

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET

数据表:

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	¥40.6913	¥4,882.96
	¥37.2222	¥18,983.32

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	160 A
Rds On-漏源导通电阻:	9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	253 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	880 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	26 ns
正向跨导 - 最小值:	80 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	15 ns
系列:	IXFH160N15
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	37 ns
单位重量:	6 g

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ECCN:: EAR99

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