IXFH26N50P

Name: IXYS IXFH26N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH26N50P
Price: 66.47 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXFH26N50P

制造商编号：

IXFH26N50P

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500

数据表:

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	¥75.1111	¥75.11
	¥44.3412	¥443.41
	¥37.3917	¥4,487.00
5,010	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	500 V
Id-连续漏极电流:	26 A
Rds On-漏源导通电阻:	230 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	60 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	400 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	KR
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	20 ns
正向跨导 - 最小值:	26 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	25 ns
系列:	HiPerFET
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	58 ns
典型接通延迟时间:	20 ns
单位重量:	6 g

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ECCN:: EAR99

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