IXFH340N075T2

Name: IXYS IXFH340N075T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH340N075T2
Price: 94.87 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXFH340N075T2

制造商编号：

IXFH340N075T2

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

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	¥68.6588	¥686.59
	¥61.2121	¥7,345.45
	¥59.3928	¥60,580.66
2,520	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	75 V
Id-连续漏极电流:	340 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	300 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	935 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	35 ns
正向跨导 - 最小值:	65 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	50 ns
系列:	IXFH340N075
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	60 ns
典型接通延迟时间:	26 ns
单位重量:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541900000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

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