IXFH58N20

IXYS
747-IXFH58N20
IXFH58N20

制造商：

说明：
MOSFET 200V 58A

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
最少： 300   倍数： 30
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥86.8518 ¥26,055.54

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
200 V
58 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
HyperFET
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 最小值: 32 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns
系列: HiPerFET
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

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