IXFH6N100Q

IXYS
747-IXFH6N100Q
IXFH6N100Q

制造商：

说明：
MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
最少： 30   倍数： 30
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥63.6077 ¥1,908.23
¥52.9405 ¥6,352.86
¥47.1436 ¥24,043.24
¥42.0247 ¥42,865.19

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
6 A
1.9 Ohms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
180 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns
系列: HiPerFET
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

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