IXFH6N120P

IXYS
747-IXFH6N120P
IXFH6N120P

制造商：

说明：
MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

数据表:
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库存量: 188

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥101.0785 ¥101.08
¥61.1217 ¥611.22
¥56.9068 ¥6,828.82

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
6 A
2.75 Ohms
- 30 V, 30 V
5 V
92 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 14 ns
正向跨导 - 最小值: 3 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11 ns
系列: HiPerFET
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
单位重量: 6 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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