IXFK120N20P

Name: IXYS IXFK120N20P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK120N20P
Price: 110.31 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXFK120N20P

制造商编号：

IXFK120N20P

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds

数据表:

IXFK120N20P 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解IXYS IXFK120N20P详情

供货情况

库存：: 0

您可以延期订购此产品。

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 1,075
生产周期：: 37

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥124.6503	¥124.65
	¥91.7334	¥917.33
	¥78.5802	¥7,858.02
	¥72.2974	¥36,148.70

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-264-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	152 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	714 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	31 ns
正向跨导 - 最小值:	40 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
系列:	HiPerFET
工厂包装数量:	25
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	100 ns
典型接通延迟时间:	30 ns
单位重量:	10 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXFK120N20P 数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET功率MOSFET

IXYS Polar™ HiPerFET功率MOSFET将Polar标准产品系列的优势与更快的体二极管结合在一起。体二极管拥有更短的反向恢复时间 (t_rr)，使其可用于移相桥电机控制和不间断电源应用 (UPS)。该系列MOSFET拥有极低的R_DS(on)、低R_thJC、低Q_g和增强的dv/dt能力。

电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案，以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.