IXFN110N60P3

Name: IXYS IXFN110N60P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN110N60P3
Price: 344.19 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-IXFN110N60P3

制造商编号：

IXFN110N60P3

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET模块 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

数据表:

IXFN110N60P3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	90 A
Rds On-漏源导通电阻:	56 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.5 mW
系列:	IXFN110N60
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	15 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	30 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	HiPerFET
类型:	HiperFET
典型关闭延迟时间:	106 ns
典型接通延迟时间:	63 ns
单位重量:	30 g

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数据表

IXFN110N60P3 数据表

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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ECCN:: EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.