IXFN160N30T

IXYS
747-IXFN160N30T
IXFN160N30T

制造商：

说明：
MOSFET模块 TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 312

库存：
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生产周期：
23 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥262.2956 ¥262.30
¥192.9814 ¥1,929.81
¥167.4999 ¥16,749.99
¥167.4208 ¥83,710.40

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
300 V
130 A
19 mOhms
- 20 V, + 20 V
5 V
- 55 C
+ 150 C
900 W
IXFN160N30
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 25 ns
高度: 12.22 mm
长度: 38.23 mm
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 38 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: HiPerFET
类型: GigaMOS Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 105 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
宽度: 25.42 mm
单位重量: 30 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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