IXFN200N10P

IXYS
747-IXFN200N10P
IXFN200N10P

制造商：

说明：
MOSFET模块 200 Amps 100V 0.0075 Rds

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解IXYS IXFN200N10P详情

库存量: 7

库存：
7 可立即发货
生产周期：
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥263.3691 ¥263.37
¥204.4735 ¥2,044.74
¥178.4157 ¥17,841.57

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
100 V
200 A
7.5 mOhms
- 20 V, + 20 V
- 55 C
+ 175 C
680 W
IXFN200N10
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 90 ns
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: HiPerFET
类型: HiperFET
典型关闭延迟时间: 150 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 25.42 mm
单位重量: 30 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Polar HiPerFET功率MOSFET

IXYS Polar™ HiPerFET功率MOSFET将Polar标准产品系列的优势与更快的体二极管结合在一起。体二极管拥有更短的反向恢复时间 (trr)，使其可用于移相桥电机控制和不间断电源应用 (UPS)。该系列MOSFET拥有极低的RDS(on)、低RthJC、低Qg和增强的dv/dt能力。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。