您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

IXFN220N20X3

Name: IXYS IXFN220N20X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN220N20X3
Price: 260.67 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXFN220N20X3

制造商编号：

IXFN220N20X3

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET模块 MBLOC 200V 160A N-CH X3CLASS

数据表:

IXFN220N20X3 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解IXYS IXFN220N20X3详情

供货情况

库存：: 0

您可以延期订购此产品。

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 27 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥294.5571	¥294.56
	¥221.3444	¥2,213.44

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
Id-连续漏极电流:	220 A
Rds On-漏源导通电阻:	6.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	390 W
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	17 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	27 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	HiPerFET
典型关闭延迟时间:	155 ns
典型接通延迟时间:	37 ns
单位重量:	123 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXFN220N20X3 数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

热泵

Littelfuse供应各种用于热泵的元件，包括保险丝、TVS二极管、栅极驱动器等。热泵市场正在迅速增长，这得益于政府为减少温室气体排放和提高能源成本而采取的举措。得益于逆变器驱动电机提高系统效率，热泵可用于各种气候条件。了解Littelfuse技术如何使热泵更安全、更可靠、更节能。由于逆变器驱动的电机提高了系统效率，热泵可用于各种气候条件。这些元件适合用于各种应用，如能源管理、安全系统、暖通空调系统、烟雾探测器和物联网控制设备。Littelfuse采用保护、控制和感测技术，以提高楼宇的可靠性、安全性和能效。

850V超结X级HiPerFET™ MOSFET

IXYS 850V 超结 X 级 HiPerFET™ MOSFET 是增强模式雪崩额定快速内在二极管。这些 MOSFET 采用高功率密度和低封装电感设计，具有低导通电阻 RDS_(ON) 和低 Q_G 值。X 级 MOSFET 可采用国际标准封装。典型应用是开关模式和谐振模式电源、机器人和伺服控制以及其他类似应用。
了解详情

太阳能逆变器和电池能量存储系统

Littelfuse 太阳能逆变器和电池储能系统 (BESS) 可用于交流和直流耦合太阳能系统。交流耦合太阳能系统具有两个逆变器，灵活性更高，安装更容易。直流耦合太阳能系统具有一个逆变器，效率更高，因为BESS和PV之间的电缆更短，可降低损耗。Littelfuse 太阳能逆变器和BESS元件包括TVS二极管、MOSFET、IGBT驱动器、保险丝、继电器等。

X3级HiPerFET™功率MOSFET

IXYS X3级HiPerFET™功率MOSFET是采用N沟道增强模式的耐雪崩快速体二极管。这些MOSFET具有低R_DS(ON)、低栅极电荷 (Q_G) 和高功率密度。IXYS X3级HiPerFET™ 200V至300V功率MOSFET可在高速开关期间消除剩余能量，避免器件发生故障。典型应用包括DC-DC转换器、电源、机器人、伺服控制以及轻型电动汽车用电池充电器。