IXFN360N10T

IXYS
747-IXFN360N10T
IXFN360N10T

制造商：

说明：
MOSFET模块 360 Amps 100V

数据表:
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数量 单价
总价
¥236.2378 ¥236.24
¥172.7092 ¥1,727.09
¥146.8209 ¥14,682.09

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
100 V
360 A
2.6 mOhms
- 20 V, + 20 V
2.5 V
- 55 C
+ 175 C
830 W
IXFN360N10
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 160 ns
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 100 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: HiPerFET
类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 47 ns
单位重量: 30 g
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已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8504901900
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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