IXFN60N80P

Name: IXYS IXFN60N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN60N80P
Price: 373.1 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-IXFN60N80P

制造商编号：

IXFN60N80P

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET模块 DIODE Id54 BVdass800

数据表:

IXFN60N80P 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	53 A
Rds On-漏源导通电阻:	140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, + 30 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.04 mW
系列:	IXFN60N80
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	26 ns
高度:	9.6 mm
长度:	38.23 mm
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	29 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	HiPerFET
类型:	HiperFET
典型关闭延迟时间:	110 ns
典型接通延迟时间:	36 ns
宽度:	25.42 mm
单位重量:	30 g

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数据表

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET功率MOSFET

IXYS Polar™ HiPerFET功率MOSFET将Polar标准产品系列的优势与更快的体二极管结合在一起。体二极管拥有更短的反向恢复时间 (t_rr)，使其可用于移相桥电机控制和不间断电源应用 (UPS)。该系列MOSFET拥有极低的R_DS(on)、低R_thJC、低Q_g和增强的dv/dt能力。