IXFN64N50P

IXYS
747-IXFN64N50P
IXFN64N50P

制造商：

说明：
MOSFET模块 500V 64A

数据表:
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库存量: 740

库存：
740
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300
生产周期：
26
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥247.1536 ¥247.15
¥181.5571 ¥1,815.57
¥155.7592 ¥15,575.92

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
500 V
61 A
85 mOhms
- 30 V, + 30 V
- 55 C
+ 150 C
700 W
IXFN64N50
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 22 ns
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: HiPerFET
类型: HiperFET
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 25.42 mm
单位重量: 30 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

Polar HiPerFET功率MOSFET

IXYS Polar™ HiPerFET功率MOSFET将Polar标准产品系列的优势与更快的体二极管结合在一起。体二极管拥有更短的反向恢复时间 (trr)，使其可用于移相桥电机控制和不间断电源应用 (UPS)。该系列MOSFET拥有极低的RDS(on)、低RthJC、低Qg和增强的dv/dt能力。

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