IXFN94N50P2

Name: IXYS IXFN94N50P2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN94N50P2
Price: 161.19 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-IXFN94N50P2

制造商编号：

IXFN94N50P2

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET模块 MBLOC 500V 68A N-CH POLARP2

数据表:

IXFN94N50P2 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227B-4
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	500 V
Id-连续漏极电流:	68 A
Rds On-漏源导通电阻:	55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	780 W
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	11 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	34 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	HiPerFET
类型:	HiperFET
典型关闭延迟时间:	67 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
单位重量:	30 g

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USHTS:: 8541900080
ECCN:: EAR99

Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs

IXYS Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs are offered with drain current ratings of 24, 42, 52, 74, 94, and 120 Amperes. These high-performance devices retain all the features and advantages of the PolarP2 Standard versions, with the added benefit of a fast intrinsic rectifier for increased turn-off dV/dt immunity and low reverse recovery speeds (t_rr <=250ns).