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IXFP22N65X2

Name: IXYS IXFP22N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP22N65X2
Price: 46.63 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

747-IXFP22N65X2

制造商编号：

IXFP22N65X2

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

数据表:

IXFP22N65X2 数据表

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	¥28.0353	¥280.35
	¥25.5606	¥2,556.06
	¥24.3176	¥12,158.80

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	22 A
Rds On-漏源导通电阻:	160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.7 V
Qg-栅极电荷:	38 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	390 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	8 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
系列:	650V Ultra Junction X2
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	33 ns
典型接通延迟时间:	38 ns
单位重量:	2 g

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数据表

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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